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化学气相淀积(CVD)用混合气

2019-02-13

化学气相淀积(CVD)用混合气:CVD是利用挥发性化合物,通过气相化学反应淀积某种单质和化合物的一种方法,即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类,使用的化学气相淀积(CVD)气体也不同,以下是几类化学气相淀积混合气的组成:

1.半导体膜:(1)硅烷(SiH4)+氢气(H2)

                     (2)二氯二氢硅(SiH2Cl2)+氢气(H2)

                     (3)四氯化硅(SiCl4) +氢气(H2)

2.绝缘膜:  (1)硅烷(SiH4)+甲烷(CH4)

                    (2) 硅烷(SiH4)+氧气(O2)

                    (3) 硅烷(SiH4)+氧气(O2)+磷烷(PH3)

                    (4) 硅烷(SiH4)+氧气(O2)+乙硼烷(B2H6)

                    (5) 硅烷(SiH4)+笑气(N2O)+ 磷烷(PH3)

3.导体膜:  (1)六氟化钨(WF6)+氢气(H2)

                   (2) 六氟化钼(MoF6)+氢气(H2)


三、掺杂混合气:在半导体器件和集成电路制造中,将某些杂质掺入半导体材料内,使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,以制造电阻、PN结、埋层等。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合,混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周,在晶片表面沉积上掺杂剂,进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。

1.硼化合物:乙硼烷(B2H6)、三氯化硼(BCl3)、溴化硼(BBr3)

2.磷化合物:磷烷(PH3)、三氯化磷(PCl3)、溴化磷(PBr3)

3.砷化合物:砷烷(AsH3)、三氯化砷(AsCl3)

稀释气体氦气、氩气、氢气。


四、蚀刻混合气:蚀刻就是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面(如金属膜、氧化硅膜等)蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,以便在基片表面上获得所需要的成像图形。蚀刻方法有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常多为氟化物气体(卤化物类),例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

1.铝(Al)蚀刻:氯硅烷(SiCl4)+氩、四氯化碳(CCl4)+(氩、氦) 

2.铬(Cr) 蚀刻:四氯化碳(CCl4)+氧、四氯化碳(CCl4)+空气

3.钼(Mo)蚀刻:二氟二氯化碳(CCl2F2)+氧、四氟化碳(CF4)+氧

4.铂(Pt)蚀刻:三氟三氯乙烷(C2Cl3F3)+氧、四氟化碳(CF4)+氧

5.聚硅蚀刻:四氟化碳(CF4)+氧、乙烷(C2H6)+氯

6.硅(Si)蚀刻:四氟化碳(CF4)+氧

7.钨(W)蚀刻:四氟化碳(CF4)+氧


五、其他混合气:由于混合气种类繁多,在此就不多列举。艾佩科可为客户定制混合气体,按照客户要求气体的比率,量身定做。